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参数目录39736
> SGR2N60UFDTM IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK
型号:
SGR2N60UFDTM
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
SGR2N60UFDTM PDF
标准包装
2,500
系列
-
IGBT 类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
Vge, Ic时的最大Vce(开)
2.6V @ 15V,1.2A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
2.4A
功率 - 最大
25W
输入类型
标准
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
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